乐清市上格电子有限公司

 产品特点：□电流5-300A□电压100-1600V□小型通用尺寸“真空+充氢保护”焊接技术□玻璃钝化二极管芯片□优秀的力量/体积比率□高热的传导性封装产品应用：□

HeattransferthroughaluminiumnitrideceramicisolatedmetalbaseplatePreciousmetalpressurecontactsforhigh

产品特点：□芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压□国际标准封装□真空+充氢保护焊接技术□压接结构，优良的温度特性和功率循环能力□输入-输出之间隔离耐压≥2500VAC□200A以下模块皆为强迫

产品特点：□电流5-300A□电压100-1600V□小型通用尺寸“真空+充氢保护”焊接技术□玻璃钝化二极管芯片□优秀的力量/体积比率□高热的传导性封装产品应用：□整流电源□工

>单相整流桥□电流40-100AIF(AV)VF(AV)VRRMIRRM1IRRM2IFSMQL120.040.4QL140.070.8360QL16600.1540QL400.1540QL60

产品特点：□电流5-300A□电压100-1600V□小型通用尺寸“真空+充氢保护”焊接技术□玻璃钝化二极管芯片□优秀的力量/体积比率□高热的传导性封装产品应用：□整流电源□工

产品特点：□电流5-300A□电压100-1600V□小型通用尺寸“真空+充氢保护”焊接技术□玻璃钝化二极管芯片□优秀的力量/体积比率□高热的传导性封装产品应用：□整流电源□工

•MOSFETOutput•LowOn-StateResistance•ParallelingCapabilityforHigherCurrents•Photo

产品特点：□芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压□国际标准封装□真空+充氢保护焊接技术□压接结构，优良的温度特性和功率循环能力□输入-输出之间隔离耐压≥2500VAC□200A以下模块皆为强迫

•MOSFETOutput•LowOn-StateResistance•ParallelingCapabilityforHigherCurrents•Photo