深圳市广鑫世纪电子有限公司
主营:集成电路;二、三极管;光耦;单片机;可控硅;电源IC;通信IC;家电IC;数字IC;显示IC
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特性低压和标准电压操作-1.8(VCC=1.8v至5.5v)内部组织256x8(2k)双线串行接口施密特触发器、过滤输入噪声抑制双向数据传输协议1MHz(5v),400千赫(1.8v,2.5v,2.7
特点高度稳定的氧化钝化结非常低正向压降匹配的双芯片建设高结温能力高dv/dt能力Guardring应力保护环氧会见UL94V-0@0.125电气隔离。无隔离硬件要求。无铅包装是可用*机械特性:案例:环
数据列表FGH40N60SFD标准包装150类别分离式半导体产品家庭IGBT-单路系列-IGBT类型场截止电压-集电极发射极击穿(最大)600VVge,Ic时的最大Vce(开)2.9V@15V,40A
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LVDS转HDMI、VGA、DVI解决方案、DP转LVDS解决方案:CH7036B-BF CH9904、CH7033B-BF CH9903、CH7034B-BF、CH7035B-B
BTA08-600B数据列表BT(A,B)08,T8xx产品相片t820t-6i标准包装50类别分离式半导体产品家庭三端双向可控硅开关系列-三端双向可控硅开关类型标准电压-断路600V电流-导通状态(
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IRF840数据列表IRF840PBFPackagingInformation产品相片TO-220-3,TO-220AB标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET-单系列-FET型MOSFETN
基本信息整流二极管 较强的正向浪涌承受能力:30A 最大正向平均整流电流:1.0A 最高反向耐压:1000V 低的反向漏电流:5uA(最